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J-GLOBAL ID：201702289863248864   整理番号：17A0759397

MOVPEによりサファイア基板上に成長させたAlNの構造品質の改善のためのナノメータ薄A LD Al_2O_3【Powered by NICT】

Nanometer-thin ALD-Al₂O₃ for the improvement of the structural quality of AlN grown on sapphire substrate by MOVPE

著者 (7件)： Banal Ryan G. (Optical and Electronic Materials Unit, National Institute for Materials Science (NIMS), 305-0044, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Imura Masataka (Optical and Electronic Materials Unit, National Institute for Materials Science (NIMS), 305-0044, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Tsuya Daiju (Nanofabrication Platform, NIMS, 305-0047, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Iwai Hideo (Materials Analysis Station, NIMS, 305-0047, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Koide Yasuo (Optical and Electronic Materials Unit, National Institute for Materials Science (NIMS), 305-0044, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Koide Yasuo (Nanofabrication Platform, NIMS, 305-0047, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Koide Yasuo (Research Network and Facility Services Division, NIMS, 305-0044, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 2  ページ： ROMBUNNO.201600727  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシー(MOVPE)によりサファイア基板上に成長させたAlNのエピタキシャル品質は原子層堆積(A LD)によりナノメートル非晶質Al_2O_3中間層の導入により改善された。臨界A LD Al_2O_3厚さは約1nmであると決定され,AlNは,平行ステップとテラスの表面形態を示した。しかし,A LD Al_2O_3厚さが増加すると,表面はA LD Al_2O_3における表面欠陥の形成に起因する蛇行テラス形態に変化し,AlNの成長スパイラルにした。表面欠陥は,非晶質Al_2O_3結晶構造への変換に起因していた。構造品質の同様の傾向もXRD測定により観察され,対称性(0002)と非対称(1012)反射のωスキャンはA LD Al_2O_3厚さと共に増加する。Raman分析やXRD測定を行い,両AlNエピ層を引張歪を示し,A LD Al_2O_3厚の増加と共に緩和状態に近づくことを確認した。nmの薄いA LD Al_2O_3上に成長させた高品質AlNが最高の引張歪を示し,貫通転位の減少を介して弛緩を回避した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 貫通転位 ,  対称性 ,  *品質 ,  形態 ,  非晶質 ,  *MOCVD ,  非対称性 ,  緩和現象 ,  表面欠陥 ,  エピタクシー ,  X線回折 ,  *窒化アルミニウム ,  引張歪 ,  表面形態 ,  *サファイア基板

著者キーワード (4件)： AlN ,  非晶質Al2O3 ,  原子層堆積 ,  MOVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  サファイア基板 ,  成長 ,  AlN ,  ナノメータ ,  LD