特許
J-GLOBAL ID：201103016580517126
電磁波波面整形素子及びそれを備えた電磁波イメージング装置、並びに電磁波イメージング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 寿一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-044794
公開番号（公開出願番号）：特開2011-179989
出願日： 2010年03月01日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：
【課題】電磁波によるイメージングを高速に行うための電磁波波面整形素子及びそれを備えた電磁波イメージング装置、並びに電磁波イメージング方法を提供する。【解決手段】電磁波10に対して波面整形を行うための電磁波波面整形素子1であって、半導体23と、当該半導体23上に形成される絶縁体22と、当該絶縁体22上にアレイ状に形成される複数の電極21と、前記複数の電極21と前記半導体23との各間に所定の印加電圧をそれぞれ付与するとともに、前記印加電圧をそれぞれ制御するための電圧印加手段3と、を具備し、前記半導体23にパルスレーザー光9が入射した際に、前記電圧印加手段3により前記印加電圧をそれぞれ制御することで、前記印加電圧が付与された電極21に対応する前記半導体23のパルスレーザー光入射面23aから発生する電磁波10の放射強度を制御する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電磁波に対して波面整形を行うための電磁波波面整形素子であって、
半導体と、
当該半導体上に形成される絶縁体と、
当該絶縁体上にアレイ状に形成される複数の電極と、
前記複数の電極と前記半導体との各間に所定の印加電圧をそれぞれ付与するとともに、前記印加電圧をそれぞれ制御するための電圧印加手段と、を具備し、
前記半導体にパルスレーザー光が入射した際に、前記電圧印加手段により前記印加電圧をそれぞれ制御することで、前記印加電圧が付与された電極に対応する前記半導体のパルスレーザー光入射面から発生する電磁波の放射強度を制御することを特徴とする電磁波波面整形素子。
IPC (6件)：
G01N 21/01
, G01N 21/17
, G01N 21/27
, G01N 21/35
, H01S 3/00
, H01S 1/02
G01N21/01 D
, G01N21/17 A
, G01N21/27 A
, G01N21/35 Z
, H01S3/00 F
, H01S1/02
2G059AA01
, 2G059AA02
, 2G059AA05
, 2G059BB15
, 2G059CC16
, 2G059EE01
, 2G059EE02
, 2G059EE12
, 2G059FF01
, 2G059GG01
, 2G059GG08
, 2G059HH01
, 2G059JJ22
, 2G059KK04
, 5F172ZZ13
