特許

J-GLOBAL ID：201103034075438651

基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法

発明者： 西田 篤司 ,  有澤 光弘 ,  塚本 史郎 ,  下田 正彦
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 佐伯 憲生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299141
公開番号（公開出願番号）：特開2004-130258
特許番号：特許第3929867号
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板の表面に硫黄原子を蒸着し、次いで当該基板の表面に有機金属錯体を結合させてなる、表面に有機金属錯体が結合した基板であって、 基板が、ガリウム砒素基板であり、 有機金属錯体が、パラジウムの有機ホスフィン錯体である、基板。

IPC (6件)：

B01J 31/26 ( 200 6.01) ,  C07C 67/347 ( 200 6.01) ,  C07C 69/618 ( 200 6.01) ,  C07C 25/18 ( 200 6.01) ,  C07C 17/263 ( 200 6.01) ,  C07B 61/00 ( 200 6.01)

FI (6件)：

B01J 31/26 Z ,  C07C 67/347 ,  C07C 69/618 ,  C07C 25/18 ,  C07C 17/263 ,  C07B 61/00 300

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭51-071291
  
• 金薄膜及びパターン化された金薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-284919   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開昭51-071291
  
• 金薄膜及びパターン化された金薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-284919   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Journal of Electroanalytical Chemistry, 20020222, vol.520,no.1/2, p.40-46

審査官引用 (1件)

• Journal of Electroanalytical Chemistry, 20020222, vol.520,no1/2, p.40-46