文献

J-GLOBAL ID：201202275763242559   整理番号：12A0683568

液中プラズマ化学蒸着における化合物半導体の高速形成

著者 (4件)： 豊田洋通 (愛媛大) ,  馬場達也 (愛媛大) ,  野村信福 (愛媛大) ,  向笠忍 (愛媛大)
資料名： 日本機械学会中国四国支部総会・講演会講演論文集(CD-ROM)  (日本機械学会中国四国支部総会・講演会(CD-ROM))
巻： 50th  ページ： ROMBUNNO.301  発行年： 2012年02月28日 
JST資料番号： L0015B  ISSN： 2424-2764  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 原料溶液としてメタノールとシリコーンオイルの混合溶液を用いた液中プラズマ化学蒸着法を行った。液中プラズマを高温状態の基板に照射して,炭化珪素の生成を試みた。形成物を顕微ラマン分光分析,X線解析装置で分析した結果,シリコン基板上に炭化珪素が形成されていることが確認された。基板温度800°Cという高温状態で成膜を行えば,珪素原料は酸素成分よりも炭素成分と優先的に反応し,炭化珪素が形成し,珪素は還元される。(著者抄録)

シソーラス用語： プラズマ応用 ,  *化学蒸着 ,  *化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  成形 ,  シリコン薄膜

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 液中プラズマ ,  化学蒸着 ,  化合物半導体