特許

J-GLOBAL ID：201203017440224483

磁気抵抗効果素子および磁気デバイス

発明者： 大兼 幹彦 ,  佐藤 丈 ,  永沼 博 ,  安藤 康夫
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-051678
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190914
出願日： 2011年03月09日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

【課題】室温で50%以上の高いMR比を示し、数テラビット/インチ2の記録密度を実現可能な磁気抵抗効果素子および磁気デバイスを提供する。【解決手段】Co2FexMn1-xSiホイスラー合金(x=0.0〜1.0)から成り、層厚が2〜20nmである第1のハーフメタル強磁性体層13および第2のハーフメタル強磁性体層15と、それらの間に挟まれたAgから成る非磁性金属体層14とを有している。第1のハーフメタル強磁性体層13の下に、Cr/Ag層から成る下地層12を有し、第2のハーフメタル強磁性体層15の上に、Ag/Ru層から成る酸化防止層16を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

面直通電型(CPP;Current-Perpendicular-to-the-Plane)の巨大磁気抵抗効果(GMR;Giant Magneto Resistive effect)素子であって、 第1のハーフメタル強磁性体層と、 第2のハーフメタル強磁性体層と、 前記第1のハーフメタル強磁性体層と前記第2のハーフメタル強磁性体層との間に挟まれた非磁性金属体層とを有し、 前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層のうち少なくとも一方が、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金(x=0.0〜1.0)から成ることを、 特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (4件)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  G11B5/39

Fターム (16件)：

5D034BA03 ,  5F092AA02 ,  5F092AA12 ,  5F092AB02 ,  5F092AC08 ,  5F092AD03 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BE27 ,  5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-048391   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁性薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-219619   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
• CPP構造の磁気抵抗効果素子の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-233247   出願人：TDK株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-060020   出願人：富士通株式会社
• ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-077606   出願人：国立大学法人東北大学
• 磁気検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-058742   出願人：アルプス電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Mechanism of large magnetoresistance in Co2MnSi/Ag/Co2MnSi devices with current perpendicular to the