特許
J-GLOBAL ID:201003070055228706
磁性薄膜素子
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-219619
公開番号(公開出願番号):特開2010-056288
出願日: 2008年08月28日
公開日(公表日): 2010年03月11日
要約:
【課題】 本発明は、従来不可能とされていた電気抵抗×面積が0.3Ω・μm2、かつ磁気抵抗変化率が5%以上となる磁性薄膜素子を提供することを目的とする。【解決手段】 発明1の磁性薄膜素子は、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材上に強磁性金属層、常磁性金属層及び強磁性金属層の3層構造を持つ薄膜が設けてある磁性薄膜素子であって、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあることを特徴とする磁性薄膜素子。
IPC (3件):
H01L 43/08
, H01L 43/10
, H01F 10/16
FI (4件):
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
, H01F10/16
Fターム (23件):
5E049AA04
, 5F092AA02
, 5F092AB02
, 5F092AC08
, 5F092AD03
, 5F092BB05
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB24
, 5F092BB31
, 5F092BB44
, 5F092BB53
, 5F092BB55
, 5F092BB82
, 5F092BC03
, 5F092BC12
, 5F092BC18
, 5F092BE11
, 5F092BE13
, 5F092BE21
, 5F092BE24
, 5F092CA02
引用特許: