特許

J-GLOBAL ID：201403020022098205

複合基板および複合基板の製造方法

発明者： 秦 雅彦 ,  長田 剛規 ,  山本 武継 ,  青木 健志 ,  安田 哲二 ,  前田 辰郎 ,  三枝 栄子 ,  高木 秀樹 ,  倉島 優一 ,  国井 泰夫 ,  菊池 俊之 ,  小川 有人
出願人/特許権者： 住友化学株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  株式会社日立国際電気
代理人 (2件)： 龍華国際特許業務法人 ,  林 茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-136447
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003106
出願日： 2012年06月15日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：

【課題】少面積の結晶成長用基板から大面積の転写先基板に、半導体結晶層を効率良く転写する。【解決手段】直径200mmの円またはそれより大きい任意の平面形状を有する転写先基板と、前記転写先基板の上に位置し、厚さが1μm以下の半導体結晶層と、を有し、前記半導体結晶層が複数の分割体に分割され、前記複数の分割体のそれぞれが、直径30mmの円またはそれより小さい任意の平面形状を有し、前記転写先基板の全体または前記分割体側に位置する部分が、非晶質体、多結晶体、または、前記分割体の単結晶構造とは格子整合もしくは擬格子整合しない単結晶構造を有する単結晶体である複合基板を提供する。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

直径200mmの円またはそれより大きい任意の平面形状を有する転写先基板と、 前記転写先基板の上に位置し、厚さが1μm以下の半導体結晶層と、を有し、 前記半導体結晶層が複数の分割体に分割され、前記複数の分割体のそれぞれが、直径30mmの円またはそれより小さい任意の平面形状を有し、 前記転写先基板の全体または前記分割体側に位置する部分が、非晶質体、多結晶体、または、前記分割体の単結晶構造とは格子整合もしくは擬格子整合しない単結晶構造を有する単結晶体である 複合基板。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/20

Fターム (23件)：

5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP08 ,  5F152MM01 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN08 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN15 ,  5F152NN20 ,  5F152NN27 ,  5F152NN29 ,  5F152NP05 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ08