特許
J-GLOBAL ID：201403028094682093
複合基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
龍華国際特許業務法人
, 林 茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-240272
公開番号（公開出願番号）：特開2014-090121
出願日： 2012年10月31日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
要約：
【課題】犠牲層へのエッチング剤の供給を促進し、製造の効率を高める。【解決手段】(a)第1半導体結晶層形成基板の上に、第1犠牲層および第1半導体結晶層を順次形成し、第1転写先基板の表面に溝を形成し、第1半導体結晶層形成基板の第1表面と、第1転写先基板の溝でない領域または第1転写先基板の溝でない領域に形成された層の表面で第1表面に接することとなる第2表面と、を向かい合わせて貼り合わせ、第1表面と溝の内壁とで形成される空洞に第1エッチング剤を供給し、第1半導体結晶層を第1犠牲層の一部が露出するまでエッチングし、空洞に第2エッチング剤を供給し、第1犠牲層をエッチングすることにより、第1半導体結晶層の一部分を第1転写先基板に残した状態で、第1転写先基板と第1半導体結晶層形成基板とを分離する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
(a)第1半導体結晶層形成基板の上に、第1犠牲層および第1半導体結晶層を順次形成するステップと、
(b)第1転写先基板の表面に溝を形成するステップと、
(c)前記第1半導体結晶層形成基板に形成された層の表面であって第1転写先基板または前記第1転写先基板に形成された層に接することとなる第1表面と、前記第1転写先基板の前記溝でない領域または前記第1転写先基板の前記溝でない領域に形成された層の表面であって前記第1表面に接することとなる第2表面と、が向かい合うように、前記第1半導体結晶層形成基板と前記第1転写先基板とを貼り合わせるステップと、
(d)前記貼り合わせにより前記第1表面と前記溝の内壁とで形成される空洞に第1エッチング剤を供給し、前記第1エッチング剤により、前記第1半導体結晶層のうち前記空洞の内壁を構成する部分を前記第1犠牲層の一部が露出するようにエッチングするステップと、
(e)前記空洞に第2エッチング剤を供給し、前記第2エッチング剤により前記第1犠牲層をエッチングすることにより、前記第1半導体結晶層のうちエッチングされずに残った部分を前記第1転写先基板の前記溝でない領域に残した状態で、前記第1転写先基板と前記第1半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、
を有する複合基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/20
H01L27/12 B
, H01L21/20
, H01L21/02 B
5F152LL03
, 5F152LL05
, 5F152LL09
, 5F152LP08
, 5F152MM04
, 5F152MM05
, 5F152MM07
, 5F152MM09
, 5F152MM12
, 5F152MM13
, 5F152NN03
, 5F152NN04
, 5F152NN05
, 5F152NN07
, 5F152NN08
, 5F152NN13
, 5F152NN27
, 5F152NQ04
, 5F152NQ05
, 5F152NQ06
, 5F152NQ08
, 5F152NQ09
, 5F152NQ10
