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J-GLOBAL ID：201502207396200760   整理番号：15A1046093

微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成

著者 (4件)： 石井健一 (埼玉大 大学院) ,  折原操 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.14P-PB12-19  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 傾斜機能材料 ,  基板 ,  立方晶系 ,  窒化ガリウム ,  *窒化インジウム ,  量子ドット

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 微傾斜基板 ,  ドメイン ,  立方晶 ,  GaN ,  成長 ,  InN ,  ドット