文献
J-GLOBAL ID：201602218989088990
整理番号：16A0283969 MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性
石井健一
(埼玉大 大学院)
, 八木修平
(埼玉大 大学院)
, 矢口裕之
(埼玉大 大学院)
資料名：
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) について
巻： 63rd ページ： ROMBUNNO.22A-P6-10 発行年： 2016年03月03日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化インジウム
, 窒化インジウム について
化合物半導体
, 化合物半導体 について
酸化マグネシウム
, 酸化マグネシウム について
*微斜面
, 微斜面 について
半導体薄膜
, 半導体薄膜 について
量子ドット
, 量子ドット について
*MBE成長
, MBE成長 について
原子間力顕微鏡
, 原子間力顕微鏡 について
*表面性状
表面性状 について
分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(BK14040E)
, 半導体の表面構造
半導体薄膜 について
(BK15030A)
半導体の表面構造 について
タイトルに関連する用語 (7件)：
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MgO
, MgO について
微傾斜基板
, 微傾斜基板 について
作製
, 作製 について
立方晶
, 立方晶 について
InN
, InN について
ドット
, ドット について
堆積
堆積 について
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