文献

J-GLOBAL ID：201602236541953232   整理番号：16A0942605

4H-SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御

クリップ

著者 (3件)： 松岡圭佑 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16a-P5-11  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  微斜面 ,  自己組織化 ,  *窒化インジウム ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  量子ドット ,  太陽電池 ,  *膜 ,  *薄膜成長 ,  窒化物半導体 ,  量子ドット太陽電池 ,  *自己組織化膜
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  微傾斜面

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 4H-SiC ,  微傾斜基板 ,  作製 ,  自己組織化 ,  InN ,  GaN ,  ドット