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J-GLOBAL ID：201602261706406019   整理番号：16A1108426

クリティカルディメンジョン小角X線散乱(CD-SAXS)による横方向粗さ評価に関する研究

A study of lateral roughness evaluation through critical-dimensional small angle x-ray scattering (CD-SAXS)

著者 (11件)： FREYCHET G. (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  FREYCHET G. (CEA, Grenoble, FRA) ,  CADOUX C. (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  CADOUX C. (CEA, Grenoble, FRA) ,  BLANCQUAERT Y. (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  BLANCQUAERT Y. (CEA, Grenoble, FRA) ,  REY S. (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  REY S. (CEA, Grenoble, FRA) ,  MARET M. (UJF, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  GERGAUD P. (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  GERGAUD P. (CEA, Grenoble, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9778  号： Pt.2  ページ： 97783V.1-97783V.8  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リソグラフィー法などの半導体プロセスにおいて,微細加工精度を決める重要なパラメータがクリティカルディメンジョンである。10nm以下のクリティカルディメンジョンを有する三次元構造を評価する方法として,小角X線散乱法に着目した。特に,クリティカルディメンジョン計測用にCD-SAXS法を開発し,横方向の粗さの評価について検討した。100nm以下のパターンを形成し,これをCD-SAXS法で観測し,空間分解能を示した。透過散乱配置を利用することで,比較的広い領域での測定が可能になった。フォーカス配置において,層間ラインエッジラフネスやライン幅ラフネスを評価した。ラインに沿って低振幅のラフネスを効果的に評価できることが分かった。

シソーラス用語： 長さ ,  *リソグラフィー ,  *回路パターン形成 ,  微細加工 ,  小角X線散乱 ,  横方向 ,  表面粗さ ,  半導体プロセス ,  三次元 ,  微細構造 ,  工作精度 ,  空間分解能
準シソーラス用語： *クリティカルディメンジョン ,  ラインエッジラフネス ,  ライン幅ラフネス

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (8件)： クリティカルディメンジョン ,  小角X線散乱 ,  Cd ,  SAXS ,  横方向 ,  粗さ ,  評価 ,  研究