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J-GLOBAL ID：201602265550732860   整理番号：16A1364257

各種AlNバッファ層厚みを持つAlInN/AlN/GaNヘテロ構造の特性評価

Characterization of AlInN/AlN/GaN Heterostructures with Different AlN Buffer Thickness

著者 (7件)： Corekci S. (Energy Systems Engineering Department, Kirklareli University, Kirklareli, Turkey) ,  Dugan S. (Physics Department, Kirklareli University, Kirklareli, Turkey) ,  OEztuerk M. K. (Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  Cetin S. S. (Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  Cakmak M. (Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  OEzcelik S. (Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  OEzbay E. (Nanotechnology Research Center, Bilkent University, Ankara, Turkey)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 7  ページ： 3278-3284  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に有機金属化学蒸着(MOCVD)により成長させた280nmおよび400nm厚のAlNバッファ層を有する2つのAlInN/AlN/GaNヘテロ構造を,X線回折(XRD),原子間力顕微鏡法(AFM),光ルミネッセンス(PL)およびHall効果測定により調べた。280nm厚AlNバッファ層の非対称(10<span style=text-decoration:overline>1</span>2)面に対する対称(0002)面は,400nm厚のバッファ層とは対照的に,より高い結晶品質を有した。より薄いバッファ層は,GaN層の(0002)および(10<span style=text-decoration:overline>1</span>2)面の両方の結晶化度を向上させ,GaNの転位密度を大幅に低減することができた。さらに,バッファ層の厚さが薄くなると,rms粗さが0.30nmと,ダークスポット密度が4.0×10⁸cm^-2の良好な品質の表面が得られた。比較的薄いバッファ層を持つAlInN/AlN/GaN構造体の光学的および輸送特性は,XRDおよびAFM結果によって検証されるように,構造的品質の向上と両立する。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *窒化アルミニウム ,  *バッファ層 ,  窒化ガリウム ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  キャラクタリゼーション ,  品質 ,  結晶 ,  点 ,  HEMT
準シソーラス用語： GaN ,  ダークスポット ,  ヘテロ構造 ,  結晶品質 ,  特性評価 ,  有機金属化学蒸着

著者キーワード (3件)： AlN buffer ,  AlInN barrier ,  AlInN/AlN/GaN HEMT

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  バッファ層 ,  厚み ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  特性評価