進行論理とアナログ/RF応用とスケールSRAMセルのための単純化された処理による無接合ゲートオールアラウンド横方向と垂直方向ナノワイヤFET【Powered by NICT】

Veloso A.; Parvais B.; Matagne P.; Simoen E.; Huynh-Bao T.; Paraschiv V.; Vecchio E.; Devriendt K.; Rosseel E.; Ercken M.; Chan B. T.; Delvaux C.; Altamirano-Sanchez E.; Versluijs J. J.; Tao Z.; Suhard S.; Brus S.; Sibaja-Hernandez A.; Waldron N.; Lagrain P.; Richard O.; Bender H.; Chasin A.; Kaczer B.; Ivanov T.; Ramesh S.; De Meyer K.; Ryckaert J.; Collaert N.; Thean A.

文献

J-GLOBAL ID：201602275543445343 整理番号：16A0977927

進行論理とアナログ/RF応用とスケールSRAMセルのための単純化された処理による無接合ゲートオールアラウンド横方向と垂直方向ナノワイヤFET【Powered by NICT】

Junctionless gate-all-around lateral and vertical nanowire FETs with simplified processing for advanced logic and analog/RF applications and scaled SRAM cells

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資料名：
巻： 2016 号： VLSI Technology ページ： 1-2 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

は同一横方向(L)配置を有する接合のない(JL)対従来の反転モード(IM)ゲートオールアラウンド(GAA)ナノワイヤFET(NWFET)の包括的な評価を報告した。下部I_OFF値と優れた静電気学は,与えられたJL北西サイズ(W_NW≦25nm,H_NW~22nm)のための最適化されたNWドーピングで得られた,増加したドーピングW_NW≦10nmのI_OFFペナルティなしイオン改善を可能にすることができる。これらの素子は,アナログ/RFのための実行可能な選択肢として現れ,類似した速度と電圧利得を示し,IM NWFETと比較してLF雑音を減少させた。V_T不整合性能をJL NMOSに対する増加した北西ドーピングによる高いA_VTを示し,PMOSの影響が少ないと小さいNWであった。JL概念は横方向デバイスとしてのその場ドープSiエピ北西ピラー(d_NW≧20~30nm)と垂直(V)GAA NWFETで示され,同じ300mm Siプラットフォーム上に集積した。低I_OFF,I_G,及び良好な静電気学は広範囲VNWアレイの上で達成した。最後に,新しいSRAM設計では,ビットあたりSRAM面積を39%~二VNWFETs(n/nまたはp/p)を垂直に積み重ねることによって,JLプロセス単純性の利点を利用して,提案した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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信号理論

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