特許
J-GLOBAL ID:201603013704475727

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人あい特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-092748
公開番号(公開出願番号):特開2016-157976
出願日: 2016年05月02日
公開日(公表日): 2016年09月01日
要約:
【課題】ゲート絶縁膜中の可動イオンを低減することにより、高温動作の安定化を達成することができる、SiC半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、SiCエピタキシャル層3と、SiCエピタキシャル層3に接する酸化シリコン膜を含むゲート絶縁膜9と、ゲート絶縁膜9上に形成されたゲート電極10とを含むMIS構造を有している。MIS構造において、負バイアス温度ストレス試験により得られるC-V曲線のフラットバンド電圧VFB(NBTS)と、正バイアス温度ストレス試験により得られるC-V曲線フラットバンド電圧VFB(PBTS)との差の絶対値で示されるフラットバンド電圧のシフト量ΔVFBが10V以下にする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
SiCからなる半導体層と、 前記半導体層に接する酸化シリコン膜を含むゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むMIS構造を有し、 負バイアス温度ストレス試験により得られるC-V曲線のフラットバンド電圧VFB(NBTS)と、正バイアス温度ストレス試験により得られるC-V曲線フラットバンド電圧VFB(PBTS)との差の絶対値で示されるフラットバンド電圧のシフト量ΔVFBが10V以下である、半導体装置。
IPC (4件):
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28
FI (7件):
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658L ,  H01L29/78 652D ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 A
Fターム (18件):
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104DD03 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD63 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE20 ,  4M104FF02 ,  4M104FF04 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20
引用特許:
審査官引用 (4件)
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