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J-GLOBAL ID：201702218894118763   整理番号：17A0417756

55nm SiGe BiCMOSによるGバンドdBm平衡周波数2倍器【Powered by NICT】

A G band +2 dBm balanced frequency doubler in 55 nm SiGe BiCMOS

著者 (9件)： Aouimeur W. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, IMEP-LAHC, F-38000, France) ,  Moron-Guerra J. (ASYGN, 445 rue Lavoisier, F-38330 Montbonnot-Saint-Martin, France) ,  Serhan A. (CEA-Leti, 17 rue des Martyrs, F-38054 Grenoble, France) ,  Lepilliet S. (IEMN, Univ. des Sciences et Technologies de Lille 1, F-59652 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Quemerais T. (STMicroelectronics Crolles, 820 rue Jean Monnet, F-38920, France) ,  Gloria D. (STMicroelectronics Crolles, 820 rue Jean Monnet, F-38920, France) ,  Lauga-Larroze E. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, IMEP-LAHC, F-38000, France) ,  Arnould J.-D. (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, IMEP-LAHC, F-38000, France) ,  Gaquiere C. (IEMN, Univ. des Sciences et Technologies de Lille 1, F-59652 Villeneuve d’Ascq, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SiRF  ページ： 60-63  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Gバンドの結合遅波コプレーナ波(CS CPW)線を持つMarchandバルンに基づいた新しい平衡型2逓倍器を提示し,解析した。周波数二倍器の実験結果は~+2dBmのピーク出力パワー 3.8dBの線形変換利得,160~190GHzの周波数帯域幅と25mWのDC電力消費に関連する174GHzを示した。逓倍器は,それぞれf_t/f_max320/370GHzとパッドを含む1200×700μm~2の面積を持つSTMicroelectronicsから55nm SiGe BiCMOS技術で製作した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バルン ,  電力消費 ,  一次変換 ,  パッド ,  *倍周器 ,  利得 ,  周波数帯
準シソーラス用語： *SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  周波数変換回路  (NC05030J) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  BiCMOS ,  Gバンド ,  DBM ,  平衡 ,  周波数2倍器