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J-GLOBAL ID：201702227098013748   整理番号：17A0158773

GaAs/AlGaAs量子井戸における光ゲーティングを介した電子スピン緩和異方性の調整【Powered by NICT】

Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells

著者 (5件)： Niu Binghui (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yan Tengfei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Ni Haiqiao (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Niu Zhichuan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Xinhui (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 10  ページ： 107802_01-107802_04  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変調ドープGaAs/(0.3)Ga(0.7)As量子井戸のキャリア密度に依存するスピン緩和動力学を時間分解磁気Kerr回転測定を用いて研究した。電子スピン緩和時間とその面内異方性を光学的に注入された電子密度の関数として調べた。,観測されたスピン緩和時間異方性,RashbaおよびDresselhausスピン-軌道結合場の相対強度はさらに532nm連続波レーザの付加的な励起によって調整されることから,光ゲーティング法による有効スピン緩和操作を実証した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電子スピン緩和 ,  連続レーザ ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  電子密度 ,  *異方性 ,  磁気 ,  *量子井戸 ,  変調ドーピング ,  キャリア密度 ,  *ヒ化ガリウム ,  面内異方性
準シソーラス用語： *スピン緩和 ,  Kerr回転 ,  緩和動力学 ,  *ゲーティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  ゲーティング ,  電子スピン緩和 ,  異方性