文献

J-GLOBAL ID：201702270727006329   整理番号：17A0151813

レビュー論文: InP(111)A,(111)B,(110)上の格子整合InAlAs及びInGaAs層の分子線エピタキシー

Review Article: Molecular beam epitaxy of lattice-matched InAlAs and InGaAs layers on InP (111)A, (111)B, and (110)

著者 (5件)： Yerino Christopher D. (Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, Connecticut 06520) ,  Liang Baolai (California NanoSystems Institute and Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095) ,  Huffaker Diana L. (California NanoSystems Institute and Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095) ,  Simmonds Paul J. (Department of Physics and Micron School of Materials Science and Engineering, Boise State University, Boise, Idaho 83725) ,  Lee Minjoo Larry (Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, Connecticut 06520 and Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 1  ページ： 010801-010801-31  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 50年以上にわたり,III-V族化合物半導体の研究は,(001)配向基板上に成長した材料に殆ど限定されてきた。これは,部分的には,(001)表面上でIII-Vを成長させることが比較的容易であるためである。しかし最近,(111)や(110)配向基板上に高品質のIII-Vを成長させることで,実現可能または大幅に改善された多数の重要な技術が出現している:これらには次世代の電界効果トランジスタ,新しい量子ドット,エンタングルド光子エミッタ,スピントロニクス,トポロジカル絶縁体,および遷移金属ジカルコゲナイドが含まれる。本論文の第一の目的は,(111)および(110)基板上のIII-Vの分子線エピタキシー(MBE)による成長に関する文献を包括的にレビューすることである。第二の目的は,非(001)InPウェハ上に成長した層の成長,形態,電気的および光学的特性に関する最近の実験結果を説明することである。InP(111)A,InP(111)B,及びInP(110)基板を交互に使用して,著者らは,これらの上のIn_0.52Al_0.48As及びIn_0.53Ga_0.47Asの成長を系統的に議論した。材料系ごとに,成長の主な課題と,主要な成長パラメータと性質の関係,傾向,および相互依存性を同定した。最後に,(111)および(110)配向成長したGaAs,InAlAsおよびInGaAsの構造,光学および電気特性を最適化するために必要なMBE条件を要約した。殆どの場合,ここで推奨したMBE成長パラメータは,読者が重要性が増している非(001)表面上に高品質材料を成長させ,技術進歩を刺激する方法を築くことを可能にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  格子整合 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  最適化 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  結晶方位
準シソーラス用語： *ヒ化アルミニウムインジウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： レビュー ,  論文 ,  InP ,  格子整合 ,  InAlAs ,  InGaAs ,  分子線エピタキシー