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J-GLOBAL ID：201702275465127066   整理番号：17A0325265

metal/two次元半導体界面でのSchottkyおよびOhm接触を区別するための一般的基準【Powered by NICT】

General criterion to distinguish between Schottky and Ohmic contacts at the metal/two-dimensional semiconductor interface

著者 (4件)： Chen Yanwen (Department of Physics and State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Li Yuanchang ,  Wu Jian ,  Duan Wenhui
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 5  ページ： 2068-2073  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接触界面は,二次元(2D)半導体に基づく種々のナノ電子デバイスの性能に重要な役割を果たしている。第一原理計算を用いて,プロトタイプシステムとして単層チタントリスルフィド(TiS_3)と金属接触の性質を調べた。はAu(111),Ag(111),Al(111)およびCu(111)との接触は,2.15%,1.67%,1.55と0.84eVの障壁を有するSchottky型であり,Sc(111)では低抵抗Ohm型であることを見出した。いくつかの他の典型的な2D半導体-金属接触と比較して,接触型(すなわち,ショットキーまたはオーミック)を予備的に金属の間の分離,および2D半導体,簡便に実験で測定した,~2.3±0.2Åの臨界値がこれによって同定できることを提案した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  *界面 ,  臨界定数 ,  *Ohm接触 ,  単一層 ,  *半導体 ,  第一原理計算 ,  電子素子
準シソーラス用語： 接触界面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (6件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  分析機器  (CC02020S) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 次元 ,  界面 ,  Ohm接触