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J-GLOBAL ID：201702278852057307   整理番号：17A0018458

イオンプレーティング法によるダイヤモンド状炭素膜の形成法に関する研究

著者 (4件)： 久保一貴 (愛媛大 大学院) ,  河本創 (愛媛大 大学院) ,  豊田洋通 (愛媛大) ,  朱霞 (愛媛大)
資料名： 日本材料学会四国支部学術講演会講演論文集  (日本材料学会四国支部学術講演会講演概要集)
巻： 14th  ページ： 5-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： L5884A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *DLC膜 ,  *イオンめっき ,  炭化ケイ素 ,  層 ,  密着性 ,  中間層

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： テトラメチルシラン

タイトルに関連する用語 (3件)： イオンプレーティング法 ,  ダイヤモンド状炭素 ,  研究