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J-GLOBAL ID:201702280649899879   整理番号:17A0699513

Cu(In,Ga)(Se,S)-2薄膜の時間分解光ルミネセンスと表面処理効果への太陽電池の温度依存性電流密度-電圧特性【Powered by NICT】

Time-resolved photoluminescence of Cu(In,Ga)(Se,S)2 thin films and temperature dependent current density-voltage characteristics of their solar cells on surface treatment effect
著者 (4件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 461-466  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1579A  ISSN: 1567-1739  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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KCN,HCl,またはthiuorea処理したCu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSSe)薄膜の表面処理の影響をそれらの太陽電池の時間分解光ルミネセンス(TRPL)と温度依存電流密度-電圧(J V)特性により調べた。1wt%下で最適化されたKCN処理は変換効率(η)の顕著な増加をもたらす19.21%まで増加することを実証した。一方,CIGSSe太陽電池のηは表面処理なしの対照太陽電池のものをHCl処理による13.70 15.51%と9.86 10.70%(0.3 0.7 mol/L),thiuorea処理(0.5 1.5 mol/L),それぞれの範囲は,16.66%以下である。TRPLの測定によると,表面近傍CIGSSeの品質は,強化されたTRPL寿命のためにKCN処理(1 wt%)で改善されるが,は減少したTRPL寿命によるHClとthiuorea処理で劣化した。添加では,温度に依存したJ-V測定によれば,CIGSSe太陽電池の界面再結合はKCN処理で減少し,CIGSSe太陽電池のそれはHClとthiuorea処理と共に増加した。最終的に,0.692Vの増加したV_OCを用いて室温でKCN処理(1 wt%)と19.21%効率CIGSSe太陽電池が得られたが,これは表面処理なしで太陽電池のそれよりも約15.3%相対的に高いηである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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