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J-GLOBAL ID：201702289650163349   整理番号：17A0057841

InGaAs TFETにおける固有電圧利得に及ぼすIn_xGa_1x組成と発生源Zn拡散温度の影響【Powered by NICT】

Impact of In_xGa_1-x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs

著者 (12件)： Bordallo C. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Martino J. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Agopian P. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Alian A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Mois Y. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Rooyackers R. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Vandooren A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Verhulst A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Simoen E. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Claeys C. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Thean A. (Imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs nTFETの固有電圧利得の実験的研究について初めて報告した。インジウム/ガリウム組成とZn拡散温度の影響を解析した。より高いインジウム量(In_0In0.53Ga_0Ga0.47Asと比較してIn_0 7Ga_0 3As)ではバンド-バンドトンネリング(BTBT)はバンドギャップナローイングにより改善された。高いZn拡散温度が高くソースドーピングを生じさせ,小さいトンネル長さ,BTBTを増加させる,をもたらした。両素子において固有電圧利得を改善した。これらの素子の一つの興味ある特性は低電圧(V_GS=V_DS=0.6V)で良好なアナログ性能,低電力/低電圧アナログ応用のための有望なを示したことである。高温動作は相互コンダクタンスよりも出力コンダクタンスより全ての場合で増加し,低い固有電圧利得をもたらした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  *亜鉛 ,  アナログ系 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  コンダクタンス ,  低電圧 ,  *発生源
準シソーラス用語： 高温動作 ,  低電力化 ,  実験研究 ,  *電圧利得 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaAs ,  TFET ,  固有 ,  電圧利得 ,  組成 ,  発生源 ,  Zn ,  拡散