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J-GLOBAL ID：201702291332013742   整理番号：17A0057901

>260GHz f_Tを用いた高性能超四元InAlGaN障壁H EMT【Powered by NICT】

High performance ultra-thin quaternary InAlGaN barrier HEMTs with f_T > 260 GHz

著者 (5件)： Zhu Guangrun (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China) ,  Zhang Kai (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China) ,  Yu Xinxin (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China) ,  Kong Yuechan (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China) ,  Chen Tangsheng (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, No.524, Zhongshan East Road, Nanjing, P.R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 101-103  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC基板上の四元バリアInAlGaN/AlN/GaNヘテロ構造に基づくデプレッションモード高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した。60nm矩形ゲートは,電子ビームリソグラフィーとそれに続くNi/Au(20 nm/80 nm)金属蒸発により定義した。このデバイスは,2.5mmの高DCドレイン電流密度,線形領域で0.94Ω・mmの低オン抵抗R_on,0.97mmの高ピーク外因性相互コンダクタンス,および261GHzの高い電流利得カットオフ周波数を示した。に加えて,15.7GHzμmの高f_T L_g製品が達成された。ドレイン誘起障壁低下(DIBL)はI_D=1mA/mmで200mV/Vと計算され,このデバイスの中程度の短チャネル効果を意味している。我々の知る限りでは,これはゲート長さが約60nmのGaNベースH EMTのための最良のf_T性能の一つである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子ビームリソグラフィー ,  オン抵抗 ,  *窒化ガリウム ,  蒸発 ,  相互コンダクタンス ,  短チャネル効果 ,  炭化ケイ素 ,  遮断周波数 ,  HEMT ,  線形性 ,  窒化アルミニウム ,  ヘテロ構造 ,  ドレイン誘起障壁低下効果
準シソーラス用語： DIBL ,  電流利得 ,  ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  障壁 ,  EMT