大石敏之

オオイシトシユキ | Oishi Toshiyuki

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://www.ee.saga-u.ac.jp/sedlab/index.htm

研究分野 (3件)：電子デバイス、電子機器 , 電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学

研究キーワード (10件)：無線電力伝送 , 酸化ガリウム , ダイヤモンド , 窒化ガリウム , ワイドバンドギャップ半導体 , デバイス製造技術 , デバイスモデリング , 解析及び設計 , 高周波高出力デバイス , 電子デバイス

競争的資金等の研究課題 (4件)：

2022 - 2025 結晶格子の異なる基板上のインチ径ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長機構の学理
2021 - 2024 交流2端子対回路測定を用いた窒化ガリウム関連トラップの物理的性質と挙動の解明
2019 - 2022 三方晶系サファイア基板上の立方晶系ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長の基礎研究
2015 - 2018 高周波大電力変換デバイスの実現に向けた新規ワイドバンドギャップ半導体の研究

論文 (287件)：

Toshiyuki Oishi, Shiori Takada, Ken Kudara, Yutaro Yamaguchi, Shintaro Shinjo, Koji Yamanaka. Drain bias dependence of Y ₂₂ and Y ₂₁ signals at low frequency for on-state conditions in AlGaN/GaN high electron mobility transistors. 2024. 63. 1. 010905-010905
Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu. Stable AC Stress Operation (100 h) of NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs. IEEE Electron Device Letters. 2023. 44. 10. 1704-1707
Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu. Long Stress (190 h) Operation of NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs. IEEE Electron Device Letters. 2023. 44. 6. 975-978
Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu. Fast Switching NO2-Doped p-Channel Diamond MOSFETs. IEEE Electron Device Letters. 2023. 44. 5. 793-796
Yutaro Yamaguchi, Toshiyuki Oishi. Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2023. 71. 5. 1945-1956

MISC (51件)：

西村匠史, 田渕将也, 山口裕太郎, 大塚友絢, 新庄真太郎, 山中宏治, 大石敏之. GaN HEMTの小信号等価回路解析による深い準位の評価-Evaluation of deep level by small signal equivalent circuit analysis of GaN HEMT-放送技術. 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report. 2021. 45. 1. 5-8
西村匠史, 田淵将也, 山口裕太郎, 大塚友絢, 新庄真太郎, 大石敏之. GaN HEMTにおけるバッファトラップからの低周波Yパラメータを再現するトラップ回路の検討. 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集. 2020. 2020. 337-337
嘉数誠, スダーンセイリープ, 佐々木公平, 大石敏之, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人. 超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2020. 2020.2. 2362-2362
橋川誠, 浦田幸佑, 竹ノ畑拓海, 大石敏之, 大島孝仁. β-Ga2O3 SBDを利用したRF-DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性-Load resistance and area dependence in β-Ga2O3 diode RF-DC converter circuit-レーザ・量子エレクトロニクス. 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2019. 119. 304. 25-28
石松裕真, 舟木浩祐, 桝谷聡士, 宮崎恭輔, 大島孝仁, 嘉数誠, 大石敏之. NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 331. 69-72

特許 (153件)：

書籍 (2件)：

素子分離技術総論
2000
2000 半導体テクノロジー大全
電子ジャーナル 2000

講演・口頭発表等 (273件)：

GaN HEMTのGaNトラップのY22/Y21信号と過渡応答特性比較-マルチバイアスでの比較-
(2024年電子情報通信学会総合大会 2024)
ダイヤモンドNO2 p 型ドープMOSFET の長時間(100h)AC ストレス測定
(第84回応用物理学会春季学術講演会 2023)
S パラメータの周波数依存性を用いたトランジスタ動作時におけるGaN HEMT のトラップとRF 特性の同時評価
(第84回応用物理学会春季学術講演会 2023)
ノーマリオフ型EID AlGaN/GaN MOS-HEMT における膜中残留応力が電気的特性に与える影響のTCAD による検討
(第84回応用物理学会春季学術講演会 2023)
GaN HEMT 中のトラップ位置と低周波Y21/Y22 虚部の関係(デバイスシミュレーションによる検討)
(第84回応用物理学会春季学術講演会 2023)

Works (48件)：

窒化物半導体装置およびその製造方法
吹田宗義, 南條拓真, 今井章文, 大石敏之, 阿部雄次 2013 - 2013
Semiconductor device and manufacturing method thereof
2012 - 2012
半導体装置の製造方法
大塚健一, 樽井陽一郎, 鈴木洋介, 塩沢勝臣, 金本恭三, 大石敏之, 徳田安紀, 大森達夫 2012 - 2012
窒化物半導体装置の製造方法
金本恭三, 塩沢勝臣, 川崎和重, 佐久間仁, 堀江淳一, 志賀俊彦, 大石敏之 2011 - 2011
Nitride semiconductor heterojunction field effect transistor having wide band gap barrier layer that includes high concentration impurity region
2011 - 2011

学歴 (2件)：

1984 - 1986 京都大学工学研究科電気工学専攻修士課程
1980 - 1984 京都大学工学部電気工学

学位 (1件)：

博士(工学) (名古屋大学)

経歴 (2件)：

2014/03 - 現在佐賀大学理工学部電気電子工学部門
1986/04 - 2014/03 三菱電機株式会社

所属学会 (3件)：

IEEE , 応用物理学会 , 電子情報通信学会

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