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J-GLOBAL ID：201802290158483556   整理番号：18A1698816

RF-MBE成長による4H-SiC(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)基板上へのN極性GaNの作製

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著者 (4件)： 杉浦亮 (埼玉大 大学院) ,  高宮健吾 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-PA4-14  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MBE成長 ,  炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  *極性 ,  結晶方位 ,  RHEED ,  走査電子顕微鏡 ,  基板温度 ,  ポリタイプ
準シソーラス用語： *RF-MBE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF-MBE ,  成長 ,  4H-SiC ,  極性 ,  GaN ,  作製