特許
J-GLOBAL ID：201803014076581742

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
野々口 茉美

野々口 茉美 について

, 
泉 知明

泉 知明 について

, 
林 宏

林 宏 について

, 
岸田 悠治

岸田 悠治 について


出願人/特許権者：
株式会社JOLED

株式会社JOLED について


代理人 (2件)： 吉川 修一 ,  傍島 正朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-546276
特許番号：特許第6277356号
出願日： 2014年07月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に位置するゲート電極と、 前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を間に介して、前記ゲート電極と対向する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層上に少なくとも一部が位置し、かつ、前記絶縁層に形成された開口を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、 上面視において前記酸化物半導体層と前記ソース電極又は前記ドレイン電極との端部から前記ソース電極又は前記ドレイン電極に対するチャネル幅方向に張り出した前記酸化物半導体層の一方の張り出し幅をL1(μm)とし、前記酸化物半導体層におけるキャリア密度をN(cm-3)とすると、 L1≧5.041exp(5×10-18N)の関係式を満たす、 薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 R
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM