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J-GLOBAL ID：200902193220438486   整理番号：01A0777332

ZrO₂高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価

Preparation and characterization of ZrO₂ high-k gate insulator films by PLD.

著者 (5件)： 北井聡 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  寒川雅之 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  神田浩文 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  金島岳 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101  号： 108(SDM2001 53-58)  ページ： 19-24  発行年： 2001年06月08日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代高誘電率ゲート酸化膜として,レーザアブレーションにより...

シソーラス用語： *酸化ジルコニウム ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (9件)：

• ASPENS, D. E. Surf. Sci. 1967, 37, 418
• Gaussian Inc. Gaussian 98, Revision A. 7. 1998
• ITOH, H. 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 (第4回研究), 1999. 1999, 121
• KANASHIMA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 1448-1452
• KINGON, A. I. Proc. MRS Workshop on Hihg-k Gate Dielectrics, 2000. 2000, 31

タイトルに関連する用語 (6件)： ZrO2 ,  高誘電率 ,  ゲート絶縁膜 ,  PLD ,  作製 ,  評価