特許
J-GLOBAL ID:200903037473451855
発光素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-206093
公開番号(公開出願番号):特開2003-023217
出願日: 2001年07月06日
公開日(公表日): 2003年01月24日
要約:
【要約】【課題】 クラッド層とガイド層との間に生じる歪み、またはコンタクト層とクラッド層との間に生じる歪みを緩和し、転位などの結晶欠陥の発生を抑制することができる発光素子を提供する。【解決手段】 n型AlGaN混晶よりなるクラッド層14とn型GaNよりなるガイド層15との間に、アルミニウムの組成がクラッド層14とガイド層15との間で、格子定数がクラッド層14とガイド層15との間の中間層20を備えている。これにより、格子定数差および熱膨張係数差によりクラッド層14とガイド層15との間に生じる歪みが緩和され、転位などの結晶欠陥の発生が抑制される。よって、電圧の印加による劣化が起こりにくく、使用による動作電流の上昇が抑えられ、素子寿命を長くすることができる。
請求項(抜粋):
窒化物半導体よりそれぞれなるクラッド層およびガイド層を有する発光素子であって、前記クラッド層と前記ガイド層との間に、前記クラッド層と前記ガイド層との間に生じる歪みを緩和する中間層を備えたことを特徴とする発光素子。
IPC (2件):
H01S 5/323 610
, H01L 33/00
FI (2件):
H01S 5/323 610
, H01L 33/00 C
Fターム (19件):
5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA03
, 5F041CA40
, 5F041CA47
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA85
, 5F073AA04
, 5F073AA45
, 5F073AA55
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073EA28
引用特許:
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