特許
J-GLOBAL ID：200903072880324396

窒化物半導体膜およびその製造方法

発明者：
冨谷 茂隆

冨谷 茂隆 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 岩谷 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169442
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367909
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課 題】 本発明の目的は、下層の窒化物半導体層に存在する結晶欠陥の上層の窒化物半導体層への拡張が抑制されている窒化物半導体膜およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 窒化物半導体層の上面に存在する結晶欠陥を選択的にエッチングしてエッチピットを形成し、該窒化物半導体層上に前記エッチピットが完全には埋まらないように新たな窒化物半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体膜の製造方法、および、二層の窒化物半導体層が積層されてなる構造を有し、二層の界面における下層の窒化物半導体層側にエッチピットが形成されており、上層の窒化物半導体層における結晶欠陥密度が下層の窒化物半導体層におけるそれよりも低いことを特徴とする窒化物半導体膜。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体層の上面に存在する結晶欠陥を選択的にエッチングしてエッチピットを形成し、該窒化物半導体層上に前記エッチピットが完全には埋まらないようにして新たな窒化物半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01S 5/343 610
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610 ,  H01L 21/302 P
Fターム (21件)：
5F004AA16 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045DB09 ,  5F045HA03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21
引用特許：
審査官引用 (6件)
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