特許

J-GLOBAL ID：200903078043702666

高誘電率薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 川原 孝昭 ,  山向 幹雄 ,  堀川 剛 ,  多留谷 政良 ,  佐藤 剛彦 ,  松野 繁
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353700
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 良好なカバレッジを有する(Ba,Sr)TiO3高誘電率薄膜の形成方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 Ba原料とSr原料とビス(t-ブトキシ)ビス(ジピバロイルメタネート)チタニウムを含むTi原料を有機溶剤に溶解し、溶液原料を形成する。上記溶液原料をガス化させ、原料ガスを形成する。この原料ガスを用いて、CVD反応により、基板上に(Ba,Sr)TiO3薄膜を蒸着させる。

請求項（抜粋）：

ジピバロイルメタネート系有機バリウム化合物(Ba(DPM)2)を含むBa原料と、ジピバロイルメタネート系有機ストロンチウム化合物(Sr(DPM)2)を含むSr原料と、ビス(t-ブトキシ)ビス(ジピバロイルメタネート)チタニウム(Ti(t-BuO)2(DPM)2)を含むTi原料とを有機溶剤に溶解し、溶液原料を形成する工程と、前記溶液原料をガス化させ、原料ガスを形成する工程と、前記原料ガスを用いて、CVD反応により、基板上に(Ba,Sr)TiO3薄膜を蒸着させる工程と、を備えた高誘電率薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 651

Fターム (38件)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030CA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB19 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EE03 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EF05 ,  5F058BA09 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD42 ,  5F083JA14 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 高純度Ti錯体及びその製造方法並びにBST膜形成用液体組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-194875   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263702   出願人：株式会社日立製作所
• 複合酸化物系誘電体薄膜形成用の溶液原料と誘電体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-237619   出願人：三菱マテリアル株式会社
• CVD法による薄膜の堆積装置及び堆積方法並びに該堆積装置又は該堆積方法で用いられるCVD原料及び液体原料容器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-326971   出願人：三菱電機株式会社
• 酸化物系誘電体薄膜用CVD原料およびメモリー用キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-184904   出願人：三菱電機株式会社