文献

J-GLOBAL ID：201002287122673405   整理番号：10A1043523

大気圧沿面放電プラズマを用いたマスクレスエッチング

Maskless Etching using Atmospheric Pressure Non-Thermal Surface Discharge Plasma

クリップ

著者 (4件)： 濱田俊之 (宮崎大学大学院農学工学総合研究科物質・情報工学専攻) ,  水本貴之 (宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻) ,  有村拓也 (宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻) ,  迫田達也 (宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 130  号： 10  ページ： 907-912 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 沿面放電プラズマを用いたマスクレスエッチング方式を提案し,先ず作製した沿面放電生成装置の放電特性を調べた。次に,単結晶Siのエッチング特性や,ピラミッド状テクスチャ表面構造を持ち,反射防止膜として窒化シリコン膜を形成した単結晶Si基板での電極溝作製技術について検討した。その結果,Ar/CF₄混合ガス中で生成した沿面放電プラズマにより,単結晶Siのエッチングが実行可能であることを示し,Siエッチングにおける最適Ar/CF₄混合比を特定した。また,Siの深さ方向のエッチングは,処理時間の経過に伴い進展し,さらに高い放電維持電圧において高いエッチングレートが得られることを示した。さらに,3mm間隔で電極溝の作製可能なエッチング装置を開発し,その処理能力の評価結果を示した。

シソーラス用語： *沿面放電 ,  *大気プラズマ ,  *フォトリソグラフィー ,  *マスク ,  *エッチング ,  ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  *プラズマ処理 ,  有限要素法 ,  単結晶 ,  プラズマ源 ,  マスクレスリソグラフィ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

引用文献 (9件)：

• (1) 小駒益弘:「大気圧グロー放電の発生と応用」,プラズマ核融合学誌, Vol. 79, No. 10, pp. 1000-1001 (2003)
• (2) H. Yoshiike, K. Ikeda, A. Wakaki, S. Togashi, K. Taniguchi, and Y. Horiike : “Localized Plasma Processing of Materials Using Atmospheric-Pressure Microplasma Jets”, Jpn J. Appl. Phys., Vol. 42, No. 6B, pp. 4000-4003 (2003)
• (3) T. Sakoda, T. Hamada, K. Matsukuma, H. Herai, K. Matsui, and K. Nagasawa : “Selective Etching of Silicon Nitride Film on Single Crystalline Silicon Solar Cell Using Intensive Surface Discharge”, Jpn J. Appl. Phys., Vol. 45, No. 5A, pp. 3992-3993 (2006)
• (4) H. S. Ahn, N. Hayashi, S. Ihara, and C. Yamabe : “Ozone Generation Characteristics by Superimposed Discharge in Oxygen-Fed Ozonizer”, Jpn J. Appl. Phys., Vol. 42, pp. 6578-6583 (2003)
• (5) J. Horzel, et al. : “A Simple Processing Sequence for Selective Emitter”, Proc. of 26^th IEEE PVSC, pp. 139-142 (1997)

タイトルに関連する用語 (3件)： 大気圧 ,  沿面放電 ,  プラズマ