特許
J-GLOBAL ID：201103024912190250
半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-166092
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017973
特許番号：特許第3380373号
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板の主表面にまで達する開口部を有する層間絶縁膜と、前記開口部に埋め込まれた接続部材と、前記接続部材を介して前記半導体基板の主表面と電気的に接続されたキャパシタ下部電極と、前記キャパシタ下部電極上に形成された高誘電率材料からなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成されたキャパシタ上部電極とを備えた半導体記憶装置であって、前記キャパシタ下部電極が金属電極で構成されていて、前記金属電極がルテニウムを主たる構成元素とし、かつ前記金属電極表面に前記金属電極材料の酸化物層が形成されていず、前記キャパシタ誘電体膜が基板温度を550°C以下とし酸素分圧を15torr以下としてCVD法により形成されたものであって、前記キャパシタ下部電極の上面及び側面を覆うように形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8242
, H01L 27/105
, H01L 27/108
H01L 27/10 651
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 444 B
