特許
J-GLOBAL ID：201103038502383460
窒化物半導体膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
森 幸一
, 逢坂 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169442
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367909
特許番号：特許第4631214号
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】GaNからなる第1の窒化物半導体層の上面に存在する結晶欠陥を900〜1100°Cの高温アンモニアガスまたは/および高温水素ガスによって選択的にエッチングしてエッチピットを形成し、該窒化物半導体層上に、前記エッチピットが完全には埋まらないようにしてGaNからなる第2の窒化物半導体層を成長させるに際し、
前記エッチング前に前記第1の窒化物半導体層の上面にマスク材を堆積させ、前記エ ッチング後に前記マスク材を除去する、
窒化物半導体膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
