特許
J-GLOBAL ID：201103091178022791
高移動度シリコンチャネルを有する縦型MISFET半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-505331
特許番号：特許第4632046号
出願日： 2004年04月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板平面より突出した箱形半導体領域の少なくとも側面をチャネル領域として用いる縦型MIS型電界効果トランジスタを備えた半導体装置において、
前記箱形半導体領域は、箱型に形成された格子緩和シリコン・ゲルマニウム膜とその表面に形成され、チャネル領域として用いられる歪みシリコン膜を有し、
前記シリコン・ゲルマニウム膜は、前記半導体基板上に連続して設けられ、その一部が、埋め込み絶縁膜を突き抜けて箱型に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 H
