二重障壁強磁性トンネル接合および磁気デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：重信和男 , 清水英雄 , 高木祐一 , 中野佳直 , 溝渕良一 , 秋庭英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-155359
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014602
出願日： 2009年06月30日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：

【課題】室温で1000%以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。【解決手段】下地層/強磁性層1/絶縁層1/強磁性層2/絶縁層2/強磁性層3/上部層の構造が基板材料上に積層され、下地層により強磁性層1の磁化が、上部層により強磁性層3の磁化が固定され、強磁性層2が磁化自由層として機能する構造の二重障壁強磁性トンネル接合において、強磁性層2をCoFeB合金とし、かつ、その厚さを0.5〜1.4nmに薄膜化し、絶縁層1および2をMgOとし、250〜400°C程度の熱処理プロセスを経ることで低抵抗、かつ、1000%を超える巨大なTMR比が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地層/強磁性層1/絶縁層1/強磁性層2/絶縁層2/強磁性層3/上部層の構造が基板材料上に積層され、下地層により強磁性層1の磁化が、上部層により強磁性層3の磁化が固定され、強磁性層2が磁化自由層として機能する構造において、強磁性層2の膜厚を制御することでTMR比が増大することを特徴とする二重障壁強磁性トンネル接合。

IPC (9件)：

H01L 43/08 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/10 , G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/32

FI (9件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L43/10 , H01L43/08 M , G11B5/39 , G01R33/06 R , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/32

Fターム (42件)：

2G017AD55 , 2G017AD56 , 2G017AD63 , 2G017AD64 , 4M119AA03 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD22 , 4M119JJ09 , 5D034BA04 , 5D034BA15 , 5E049AA10 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB14 , 5E049EB06 , 5E049GC01 , 5F092AA01 , 5F092AA02 , 5F092AB01 , 5F092AB02 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD25 , 5F092BB05 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC07 , 5F092BC18 , 5F092BC46 , 5F092BE27 , 5F092CA25

前のページに戻る