半導体デバイスの故障診断方法と装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：堀田実
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-202019
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024774
特許番号：特許第4683869号
出願日： 2004年07月08日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】無バイアス状態で保持した半導体デバイスのpn接合部又は金属半導体界面に、パルス幅が1フェムト秒以上10ピコ秒以下であり所定の波長を有するパルスレーザ光を2次元的に走査して照射する照射工程と、レーザ光照射位置から放射された電磁波を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換工程と、前記電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断工程と、を有する、ことを特徴とする半導体デバイスの故障診断方法。

IPC (2件)：