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J-GLOBAL ID：201202216642692178   整理番号：12A1675000

Bi₂SiO₅における新規な強誘電性の発現機構

著者 (14件)： 谷口博基 (東京工大 応用セラミックス研) ,  細野秀雄 (東京工大 応用セラミックス研) ,  伊藤満 (東京工大 応用セラミックス研) ,  桑原彰秀 (ファインセラミックスセ) ,  森分博紀 (ファインセラミックスセ) ,  KIM Jungeun (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst.(JASRI)) ,  KIM Younghun (東大) ,  KIM Sungwng (成均館大学校) ,  星山卓也 (大阪府大) ,  小山司 (大阪府大) ,  森茂生 (大阪府大) ,  高田昌樹 (東大) ,  高田昌樹 (理研 播磨研) ,  稲熊宜之 (学習院大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 25th  ページ： ROMBUNNO.1I06  発行年： 2012年09月12日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  ケイ酸塩 ,  *強誘電性 ,  *結晶構造 ,  数値解析

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： 強誘電性 ,  発現