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J-GLOBAL ID:201202252061517070   整理番号:12A0582005

錫フタロシアニン/C60のバルクヘテロ接合と光学干渉効果に基づく高い赤外光感度を有する有機フォトダイオード

Organic Photodiode with High Infrared Light Sensitivity Based on Tin Phthalocyanine/C60 Bulk Heterojunction and Optical Interference Effect
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著者 (6件):
資料名:
巻: 51  号: 3,Issue 1  ページ: 034103.1-034103.4  発行年: 2012年03月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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750nmの波長で高い入射光子-電子変換効率50%を有する,錫フタロシアニン(SnPc)とC60フラーレンを用いたバルクのヘテロ接合(BHJ)構造ベースの有機近赤外(NIR)フォトダイオードを実証した。セルは,約1000nmへの光応答を示し,1:59×1011cmHz1/2/Wの特性検出感度D*を示した。BHJ層のSnPc:C60比は光応答に影響を及ぼした。比率を上げるとNIR感度が高くなるが,ピークIPCEを減少させ,最適の比率は3:1であった。また,直接入射光とアルミニウム電極からの反射光の光学的な干渉を,より長波長でのIPCEを高めるために調べた。厚さ90nmのC60層で,750nmの波長に定在波の最初の腹がBHJ層に位置し,この層は700と800nmでIPCEを高めたが,400nmで減少させた。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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光導電素子 

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