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J-GLOBAL ID：201302233478416082   整理番号：13A1529411

Si基板上に成長した半極性GaNの欠陥構造評価

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著者 (9件)： 澤木宣彦 (愛知工大 工) ,  中北太平 (愛知工大 工) ,  伊藤翔悟 (愛知工大 工) ,  岩田博之 (愛知工大 工) ,  谷川智之 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  谷川智之 (東北大 金属材料研) ,  本田善央 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  山口雅史 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  天野浩 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 愛知工業大学総合技術研究所研究報告  (Bulletin of Research Institute for Industrial Technology, Aichi Institute of Technology)
号： 15  ページ： 27-30  発行年： 2013年09月30日 
JST資料番号： L3722A  ISSN： 1344-9672  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 現在,Si集積回路技術は,10ナノメートル台へと微細化が進んでおり,この様な中,シリコン集積回路技術に光を融合する「シリコンフォトニクス」が注目を浴びている。Si基板上への光デバイスの直接作成では,簡易なプロセスにより,欠陥の少ない伝導制御が可能な半導体薄膜を作製する必要がある。そこで,基板の限られた領域で高品質な結晶を簡易に得るための手法として,選択成長法を考案した。この方法では,Si基板上で任意の傾斜角を有する(111)ファセット面を異方性エッチング法により形成し,このファセット面上にC軸配向した6方晶GaNを形成する。しかし,この方法には,隣接する結晶が合体する場所に積層欠陥が導入されることにより,デバイス性能が劣化するという欠点がある。本稿では,GaN選択成長法による加工シリコン基板上の欠陥構造について評価した。まず,選択成長法により,(001)傾斜基板上に半極性(1-101)GaN結晶を成長させて,この結晶をSEMなどにより観察し,更に,結晶のストライプ合体近傍部をTEMにより調査した。そして,TEM像から,合体部分の欠陥の殆どは,積層欠陥と貫通転位であることが確認された。更に,これらの欠陥の振る舞いを高分解TEMにより評価した結果,積層欠陥は,結晶成長と共に,エネルギーが最も低い単層欠陥に変異することで,転位密度の低減が確保されていることが確認された。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *オプトエレクトロニクス ,  傾斜角 ,  *ファセット ,  六方晶系 ,  積層欠陥 ,  *選択成長 ,  *構造 ,  極性 ,  走査電子顕微鏡 ,  貫通転位 ,  転位密度 ,  欠陥 ,  *シリコンフォトニクス ,  半極性 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： *欠陥構造 ,  単層欠陥

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  成長 ,  半極性 ,  GaN ,  欠陥構造 ,  評価