特許

J-GLOBAL ID：201303053404142474

分子素子

発明者： 真島 豊 ,  篠原 久典 ,  安武 裕輔
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336439
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153245
特許番号：特許第5141943号
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の電極と、該第1の電極上に配置される第1の自己組織化単分子膜と、第2の電極と、該第2の電極上に配置される第2の自己組織化単分子膜と、上記第1の自己組織化単分子膜と上記第2の自己組織化単分子膜との間に配置される金属内包フラーレンと、を備え、 上記金属内包フラーレンと上記第1の電極との間には上記第1の自己組織化単分子膜を介して第1のトンネル接合が形成され、 上記金属内包フラーレンと上記第2の電極との間には上記第2の自己組織化単分子膜を介して第2のトンネル接合が形成され、 上記金属内包フラーレンに印加する電界で、上記金属内包フラーレンの双極子モーメントの方向を制御することを特徴とする、分子素子。

IPC (5件)：

H01L 29/66 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/66 S ,  H01L 29/28 250 E ,  H01L 29/28 100 A ,  B82B 1/00 ,  H01L 29/06 601 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 内包フラーレンによる分子及び薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-334894   出願人：ソニー株式会社
• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-131667   出願人：株式会社イデアルスター
• 分子単電子トランジスタ及び集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-066499   出願人：科学技術振興事業団, 株式会社日立製作所