特許
J-GLOBAL ID：201303087996355027
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-529134
特許番号：特許第4930056号
出願日： 2005年07月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 1層以上からなる第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に、該第1絶縁膜の表面に対して上方に突起するように設けられた半導体領域と、該半導体領域の上部から該半導体領域及び第1絶縁膜を跨ぐように設けられたゲート電極と、該ゲート電極と半導体領域の少なくとも側面の間に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート電極を挟むように半導体領域内に設けられたソース/ドレイン領域とを有し、該半導体領域の少なくとも側面にチャネルが形成される電界効果型トランジスタであって、
該第1絶縁膜は、所定条件でのエッチングに対して、少なくとも該第1絶縁膜の最下層よりもエッチングレートが低い材料からなるエッチストッパ層上に設けられていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 626 C
