半導体光増幅器

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：光石俊郎 , 田中康幸 , 松元洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-039582
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200195
特許番号：特許第4944813号
出願日： 2008年02月21日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 InPからなる基板上に電流注入による光増幅機能を有する活性層を備えた半導体光増幅器において、前記活性層が、500〜600°Cの温度範囲で結晶成長したInGaAsSbを含有し、当該InGaAsSbの、V族元素におけるSbの占める原子比率が、0.01以上0.2以下の範囲内であると共に、当該InGaAsSbが、InPに対して0〜-0.5%の範囲内の格子歪を有していることを特徴とする半導体光増幅器。

IPC (2件)：