特許
J-GLOBAL ID：201303096468934693
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280461
特許番号：特許第4895430号
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1ゲート絶縁膜を含む第1MISFETと、
前記半導体基板上に形成された第2ゲート絶縁膜を含む第2MISFETとを備え、
前記第1ゲート絶縁膜は少なくとも一部に、第1金属イオンを含有し且つ8以上の比誘電率を有した第1誘電体膜を含み、
前記第2ゲート絶縁膜は少なくとも一部に、第2金属イオンを含有し且つ8以上の比誘電率を有した第2誘電体膜を含み、
前記第1誘電体膜に対する前記第1金属イオンとは価数が1だけ異なる少なくとも1種類の第1不純物金属イオンのドーピングが施されており、
前記ドーピングに起因して、前記第1誘電体膜中と前記第2誘電体膜中とで荷電欠陥の密度と極性との少なくとも一方が異なり、
前記第1金属イオンと、前記第2金属イオンとは、3価の金属イオンであり、
前記第1不純物金属イオンは、2価の金属イオンである、半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/088 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 27/08 321 D
, H01L 27/08 102 C
, H01L 21/316 X
, H01L 29/78 301 G
