特許
J-GLOBAL ID：201403062488843509
SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185975
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043369
出願日： 2012年08月26日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：
【課題】比較的少ない工数かつ比較的短時間で貫通らせん転位の少ないSiC単結晶を製造し得る方法、および、貫通らせん転位の少ないSiC単結晶を提供する。【解決手段】SiC単結晶の製造方法を、SiC種結晶1の(0001)面に、SiC単結晶からなり高さ70nmを超えるマクロステップSmを形成し、第2の種結晶15を得るマクロステップ形成工程と、ケイ素(Si)および炭素(C)を含む反応雰囲気下で第2の種結晶15の(0001)面にSiC単結晶10を結晶成長させ、第2の種結晶15における貫通らせん転位TSD上に前記マクロステップを進展させる結晶成長工程と、で構成する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
SiC種結晶の(0001)面に、SiC単結晶からなり高さ70nmを超えるマクロステップを形成し、第2の種結晶を得るマクロステップ形成工程と、
ケイ素(Si)および炭素(C)を含む反応雰囲気下で前記第2の種結晶の(0001)面にSiC単結晶を結晶成長させ、前記第2の種結晶における貫通らせん転位上に前記マクロステップを進展させる結晶成長工程と、を備えるSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CG02
, 4G077CG07
, 4G077EA06
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA11
, 4G077QA34
, 4G077QA72
, 4G077QA79
