特許
J-GLOBAL ID：201203058878223976

炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶ウェハ、炭化珪素半導体素子の製造方法及び炭化珪素半導体素子

発明者：
星乃 紀博

星乃 紀博 について

, 
土田 秀一

土田 秀一 について


出願人/特許権者：
一般財団法人電力中央研究所

一般財団法人電力中央研究所 について


代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-011434
公開番号（公開出願番号）：特開2012-153544
出願日： 2011年01月21日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。【解決手段】結晶成長面5からの傾斜面6の角度が40度以上90度以下であり頂面3Tを有する六角錐状の凸部3を有する種基板2の表面に炭化珪素単結晶層4を成長させることで、種基板2の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層4で基底面内欠陥9に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部3の頂面3Tに制限する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
傾斜面の結晶成長面からの角度が40度以上90度以下である凸部を有する炭化珪素種基板の表面に炭化珪素単結晶層を成長させることで、 前記炭化珪素種基板の貫通らせん転位を、前記炭化珪素単結晶層で、前記凸部を中心にして前記炭化珪素種基板の外側に延びる方向の欠陥に変換すると共に、貫通らせん転位を前記凸部の頂面に制限する ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203
FI (4件)：
C30B29/36 A ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 Z
Fターム (34件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AF02 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F103AA10 ,  5F103BB02 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103RR06
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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