特許
J-GLOBAL ID：200903084125400285

エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法

発明者：
藍郷 崇

藍郷 崇 について

, 
澤村 充

澤村 充 について

, 
大谷 昇

大谷 昇 について

, 
星野 泰三

星野 泰三 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (4件)： 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司 ,  佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-255674
公開番号（公開出願番号）：特開2008-074664
出願日： 2006年09月21日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜の表面粗さのRa値が0.5nm以上1.0nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)が1.0以下である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶基板上に、欠陥の発生を抑止する炭化珪素単結晶薄膜であって、表面粗さのRa値が0.5nm以上1.0nm以下である少なくとも1つの抑止層と、前記抑止層の上に形成される炭化珪素単結晶薄膜の活性層とを有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314
FI (4件)：
C30B29/36 A ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L21/314 A
Fターム (49件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB09 ,  4G077DB21 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC01 ,  4G077TC05 ,  4G077TC13 ,  4G077TJ05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC13 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045EB15 ,  5F058BA01 ,  5F058BB01 ,  5F058BD01 ,  5F058BE04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF26 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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