特許
J-GLOBAL ID：201603008127506339
半導体非破壊検査装置及び半導体非破壊検査方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 寿一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-512638
特許番号：特許第5916023号
出願日： 2013年04月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層を含む積層構造体に対して所定の波長を有するパルスレーザー光を照射し、当該パルスレーザー光照射位置から放射される電磁波により前記積層構造体を非破壊で検査する半導体非破壊検査装置であって、
前記パルスレーザー光をプローブ光とポンプ光とに2分割するレーザー光分割手段と、
前記積層構造体に前記ポンプ光を照射することで、当該ポンプ光照射位置から前記電磁波を放射させる手段と、
前記ポンプ光照射位置から放射される前記電磁波が入射され、当該入射された電磁波の振幅強度に応じた電流を発生させる検出素子と、
前記検出素子に接続され、前記検出素子で発生した電流を電圧に変換する電流アンプと、
前記電流アンプに接続され、前記電流アンプで変換された電圧を前記電磁波の振幅強度の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換するロックインアンプと、
前記プローブ光の光路に配置され、前記検出素子に前記電磁波が入射する時間を周期的に遅延可能である時間遅延手段と、
前記時間的に変化する電圧信号と、予め参照データとして準備した前記積層構造体を構成する各単層構造体の時間的に変化する電圧信号を比較することで、前記積層構造体の各層の電子物性情報又は各層間界面の電子物性情報を取得する物性情報取得手段と、
を有し、
前記電磁波の振幅強度は、
前記積層構造体の各層間界面に形成される空乏層にそれぞれ対応して前記各層間界面近傍に形成される局所電界の向き及び大きさに応じて比例するとともに、前記各層間界面近傍からそれぞれ放射される電磁波の振幅強度が合算されたものであり、
前記局所電界の向き及び大きさは、前記積層構造体の各層の物性状態や該各層間の界面の物性状態によって変化し、
組成の異なる前記積層構造体を検査する際に、各積層構造体の前記時間的に変化する電圧信号の波形パターンを比較する、
ことを特徴とする半導体非破壊検査装置。
IPC (4件)：
G01N 21/64 ( 200 6.01)
, G01N 21/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01N 21/3581 ( 201 4.01)
G01N 21/64 B
, G01N 21/00 B
, H01L 21/66 L
, G01N 21/358
