SiC単結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185975
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043369
特許番号：特許第6069758号
出願日： 2012年08月26日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 SiC種結晶の(0001)面に、SiC単結晶からなり高さ70nmを超えるマクロステップを形成し、第2の種結晶を得るマクロステップ形成工程と、ケイ素(Si)および炭素(C)を含む反応雰囲気下で前記第2の種結晶の(0001)面にSiC単結晶を結晶成長させ、前記第2の種結晶における貫通らせん転位上に、複数の前記マクロステップを進展させる結晶成長工程と、を備え、前記結晶成長工程において、前記マクロステップは、前記第2の種結晶の(0001)結晶成長面上に250個/cm以上の線密度で1mm以上の長さにわたって存在する、SiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：