特許
J-GLOBAL ID：201703015780114270
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-255292
公開番号（公開出願番号）：特開2015-084440
特許番号：特許第6070680号
出願日： 2014年12月17日
公開日（公表日）： 2015年04月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板に形成されたチャネル領域と、
前記チャネル領域の一方側に形成されたソース側エクステンション領域と、
前記チャネル領域の他方側に形成されたドレイン側エクステンション領域と、
前記ソース側エクステンション領域を介して前記チャネル領域の一方側に形成されたソース領域と、
前記ドレイン側エクステンション領域を介して前記チャネル領域の他方側に形成されたドレイン領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記半導体基板内で、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくともいずれか一方の下部から、前記ゲート電極の下方まで延在して形成されている応力導入層と、を有し、
前記ソース側エクステンション領域及び前記ドレイン側エクステンション領域が、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくともいずれか一方から、前記ゲート電極の下方まで延在して形成され、
前記チャネル領域と前記ソース領域とのpn接合境界と、前記チャネル領域と前記ドレイン領域とのpn接合境界の間に、前記ソース領域側の応力分布のピークと前記ドレイン領域側の応力分布のピークが位置し、
前記ソース領域側の応力分布のピークが、動作電圧の印加時の電位分布のピークと重なる
半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 N
, H01L 21/90 K
