特許

J-GLOBAL ID：201803004722029845

半導体装置

発明者： 齋藤 渉 ,  筒井 一生 ,  岩井 洋 ,  角嶋 邦之 ,  若林 整
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-159280
公開番号（公開出願番号）：特開2016-039161
特許番号：特許第6258148号
出願日： 2014年08月05日
公開日（公表日）： 2016年03月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaN系半導体の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップの大きい、GaN系半導体の第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に設けられるソース電極およびドレイン電極であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくともいずれか一方の前記第2の半導体層に接する側に、複数の凸部を有する前記ソース電極および前記ドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記第2の半導体層の上に設けられるゲート電極と、 を備え、 前記凸部の、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記第2の半導体層に接する側に占める割合が、前記ソース電極または前記ドレイン電極から前記ゲート電極に向かう方向に減少し、 前記凸部が前記ソース電極または前記ドレイン電極から前記ゲート電極に向かう方向に伸長する半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/50 J ,  H01L 29/44 S ,  H01L 29/44 L ,  H01L 29/44 P ,  H01L 29/50 M ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/78 301 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 窒化物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-060848   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-085473   出願人：古河電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-014696   出願人：沖電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-070814   出願人：日亜化学工業株式会社
• ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-100671   出願人：三菱電機株式会社